October 25, 2016
В журнале Springer Journal of Electronic Materials опубликована статья Г. Ерицяна “Simulation of Electronic Center Formation by Irradiation in Silicon Crystals”, Journal of Electronic Materials, v. 45, № 11, 2016:10-1007_s11664-016-4975-6, в которой дан анализ последних результатов экспериментов по сверхбыстрому облучению кристаллов кремния электронными пучками с энергией 3.5 МэВ ускорителя “АРЕАЛ”, проведенный исследовательской группой (руководитель- проф. Г. Ерицян) из Национальной научной лаборатории им. А. И. Алиханяна (ЕрФИ).
Представлено исследование локализованных электронных центров, образующихся в кристаллах при введении примесей и облучении. Основная цель исследования-изучение этих центров в запрещенной зоне кристалла. Для определения энергетических уровней и концентрации радиационных дефектов в полупроводниках в качестве образца взят кристалл кремния.
Итогом данного исследования является новая точка зрения относительно природы энергетических уровней, ответственных за результаты измерения эффекта Холла, а следовательно, за образование радиационных дефектов в кристаллах кремния при облучении.