June 27, 2020
Последние результаты экспериментов по изучению воздействия сверхбыстрого облучения на полупроводники, полученные исследовательской группой, возглавляемой проф. Г. Ерицяном, опубликованы в журнале Elsevier journal “Radiation Physics and Chemistry” (H. Yeritsyan et al, “Introduction rates of radiation defects in electron irradiated semiconductor crystals of n-Si and n-GaP”, RADIAT PHYS CHEM, v. 176, 2020, 109056).
Исследования проводились на ускорителе АРЕАЛ объединённой группой ученых из Национальной научной лаборатории имени А. И. Алиханяна и ИСИ “КЕНДЛ”.
По вопросу об изменениях свойств полупроводниковых приборов и материалов при облучении их высокоэнергетическими частицами накоплен значительных объём экспериментальных и теоретических знаний. Тем не менее, скорость индукции радиационных эффектов в полупроводниках и различие между ними еще не вполне изучены. Данная статья устраняет этот пробел: исследования, проведенные на ускорителе АРЕАЛ, генерирующем ультракороткие электронные импульсы, дают исчерпывающее объяснение физической природы влияния сверхбыстрого облучения на параметры полупроводников.
С прикладной точки зрения изменения, вызванные в полупроводниковых материалах и приборах высокоэнергетическим облучением, характеризуются модификацией их электрофизических свойств: концентрацией, подвижностью, временем жизни носителей заряда. Показано, что в образцах Si и GaP имеет место существенное различие в начальных скоростях внедрения радиационных дефектов при различных типах и концентрациях примесей, а также при использовании облучения сверхбыстрыми электронами. Впервые был проведен анализ зависимости начальной скорости внедрения радиационных дефектов в кристаллах кремния от энергии и дозы облучения сверхбыстрыми электронными импульсами субпикосекундной длительности.