Հունիս 27, 2020
Պրոֆ. Հ. Երիցյանի գլխավորած գիտական խմբի կողմից՝ կիսահաղորդիչների վրա գերարագ ճառագայթման ունեցած ազդեցությունների շուրջ կատարած հետազոտության արդյունքները տպագրվել են բարձր վարկանիշ (ազդեցության գործակից՝ 2.1) ունեցող Elsevier ամսագրում՝ “Radiation Physics and Chemistry՝ H. Yeritsyan et al, Introduction rates of radiation defects in electron irradiated semiconductor crystals of n-Si and n-GaP, RADIAT PHYS CHEM, v. 176, 2020, 109056:
Հետազոտությունն իրականացվում է լազերով ղեկավարվող ԱՐԵԱԼ էլեկտրոնային արագացուցչի վրա («ՔԵՆԴԼ»)՝ Ա. Ի. Ալիխանյանի անվան ազգային գիտական լաբորատորիայի և «ՔԵՆԴԼ» սինքրոտրոնային հետազոտությունների ինստիտուտի գիտաշխատողների կողմից:
Փորձարարական և տեսական տվյալների շատ մեծ ծավալ է կուտակվել, որոնք վերաբերում են մեծ էներգիա ունեցող մասնիկներով ճառագայթված կիսահաղորդիչ նյութերի և սարքավորումների փոփոխված հատկությունների ուսումնասիրությանը: Այնուամենայնիվ, չեն դիտարկվել կիսահաղորդիչներում ճառագայթման թերությունների ինդուկցիայի հաճախությունը և դրանց միջև եղած տարբերությունները: Տվյալ հոդվածը դիտարկում է այս բացը՝ կիրառելով ԱՐԵԱԼ արագացուցչի գերկարճ էլեկտրոնային փնջերը, ինչը հնարավորություն կտա ներկայացնել կիսահաղորդիչների պարամետրերի վրա գերարագ ճառագայթման ազդեցության ֆիզիկական բնույթի վերանայված բացատրություն:
Կիրառական տեսանկյունից բարձր էներգիայով ճառագայթման արդյունքում կիսահաղորդիչներում և սարքավորումներում առաջացած փոփոխությունները բնութագրվում են վերջիններիս էլեկտրաֆիզիկական փոփոխություններով. մասնավորապես՝ կենտրոնացումով, լիցքի կրիչների շարժունակությունով և կյանքի տևողությունով: Ցույց է տրվել, որ Si և GaP նմուշների մեջ ճառագայթման առաջացրած թերությունների ներմուծման արագության մեջ և գերարագ էլեկտրոնային ճառագայթման կիրառման դեպքում հսկայական տարբերություն կա: Այս նմուշները պարունակում են անհամասեռությունների տարբեր տեսակներ և կենտրոնացումներ: Տվյալ աշխատանքը ներկայացնում է բյուրեղային սիլիցիումի մեջ ճառագայթմամբ պայմանավորված թերությունների ներմուծման արագության էներգիայի և դոզայի կախվածության առաջին վերլուծությունը՝ կիրառելով սուբպիկովայրկյանային տևողություն ունեցող ազդակներով գերարագ էլեկտրոնային ճառագայթումը: