April 19, 2018
Последние результаты экспериментов по ультрабыстрому облучению кристаллов кремния электронным пучком АРЕАЛ, проводимых исследовательской группой (руководитель Г. Ерицян) из Национальной научной лаборатории им. А. И. Алиханяна (ЕрФИ) опубликованы онлайн в журнале Springer Journal of Electronic Materials (H. Yeritsyan et al., “The Use of Different Pulsed Electron Irradiation for the Formation of Radiation Defects in Silicon Crystals, 13 April 2018).
В статье описан процесс образования структурных дефектов в решетке монокристаллов кремния (n-Si) при облучении их ультракороткими электронными пучками различной интенсивности и при различных длительностях импульса. Измерениями эффекта Холла были исследованы электрофизические параметры образцов в зависимости от температуры и дозы облучения. Показана зависимость электрофизических свойств от плотности потока излучения. Обнаружено, что при ультрабыстром падающем излучении тепловые процессы не развиваются, что приводит к почти “чистому” энергетическому взаимодействию между излучением и атомами кристалла и образованию кластерных дефектов.