August 11, 2016
Экспериментальной группой (руководитель профессор Грант Ерицян) из Национальной научной лаборатории им. А. И. Алиханяна (ЕрФИ) были исследованы электрические и физические свойства кристаллов кремния при облучении их ультракороткими (субпикосекундными) импульсами, полученными на ускорителе “АРЕАЛ”. Результаты исследования представлены в статье ”Влияние облучения пикосекундными электронными импульсами на электрофизические свойства кристаллов кремния” Journal of Modern Physics, 7, 1413-1419, 2016. (http://www.scirp.org/Journal/PaperInformation.aspx?PaperID=69584)
Основные результаты исследований, проведенных на ускорителе “АРЕАЛ”:
- Электронное облучение короткими субпикосекундными импульсами оказывает сильное влияние на электрофизические свойства кристаллов кремния, вызывая при этом меньшие радиационные повреждения, чем облучение более длительными электронными импульсами.
- Процесс образования радиационных дефектов в кристале кремния состоит из нескольких последовательних этапов. На первой стадии образуются дефекты – вакансии и междоузельные атомы, которые в последствии собираются в кластеры.
- Исследования температурной зависимости подвижности носителей заряда помогли определить механизм рассеяния: на ионизированных примесях и на радиационных дефектах; при этом становится возможным наблюдение за образованием точечных дефектов с последующим объединением их в кластеры.
Результаты экспериментов являются важным шагом на пути исследования очень быстрых процессов при взаимодействии электронов с веществом. Первые результаты экспериментов на АРЕАЛ суммированы в недавно опубликованной статье В. Цаканова и др., “AREAL Low Energy Electron Beam Applications in Life and Materials Sciences”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 829, 248-253, 2016. (NIM-16)