Օգոստոս 11, 2016
Ա. Ի. Ալիխանյանի անվան ազգային գիտական լաբորատորիայի (ԵրՖԻ) պրոֆեսոր Հ. Երիցյանի գլխավորած խումբը ուսումնասիրել է սիլիցիումային բյուրեղների էլեկտրական և ֆիզիկական հատկությունները «ԱՐԵԱԼ» 5 ՄէՎ էներգիայով արագացուցչի գերկարճ (սուբպիկովայրկյանային) էլեկտրոնային ազդակների ճառագայթմամբ: Ուսումնասիրության արդյունքները տպագրվել են Հ. Երիցյան և այլոք, “The Influence of Pico-Second Pulse Electron Irradiation on the Electrical-Physical Properties of Silicon Crystals”, Journal of Modern Physics, 7, 1413-1419, 2016. (http://www.scirp.org/Journal/PaperInformation.aspx?PaperID=69584) հոդվածում:
«ԱՐԵԱԼ»-ում իրականացված փորձարարական ուսումնասիրությունների հիմնական արդյունքներն են՝
- Կարճ, սուբպիկովայրկյանային ազդակներով էլեկտրոնային ճառագայթումը զգալի ազդեցություն ունի սիլիցիումային բյուրեղների էլեկտրաֆիզիկական հատկությունների վրա՝ պատճառելով ավելի քիչ ճառագայթային վնաս, քան ավելի երկար էլեկտրոնային ազդակներով ճառագայթման դեպքում:
- Սիլիցիումային բյուրեղներում ճառագայթային դեֆեկտի ձևավորումը տեղի է ունենում փուլ առ փուլ. առաջին փուլում ձևավորվում են դեֆեկտներ՝ վականսիաներ և ինտերստիցիալ ատոմներ, որոնք աստիճանաբար միավորվում են խմբերում:
- Լիցքակրի շարժունակության ջերմաստիճանային կախվածության ուսումնասիրությունը օգնեց բացահայտել ցրման մեխանիզմը. ցրումը իոնացված խարնուրդների և ճառագայթային դեֆեկտների վրա: Միևնույն ժամանակ հնարավոր դարձավ հետևել կետային դեֆեկտների ձևավորմանը, որին հաջորդում է դրանց միավորումը խմբերով:
Գերկարճ էլեկտրոնային ազդակով ճառագայթման հետազոտությունների արդյունքները կարևոր քայլ են շատ արագ գործընթացների ուսումնասիրման համար՝ էլեկտրոնների և նյութի փոխազդեցության ժամանակ: «ԱՐԵԱԼ»-ում իրականացված փորձերի առաջին արդյունքները արդեն իսկ տեղ են գտել վերջերս հրատարկված մի հոդվածում. Վ. Մ. Ցականով և այլոք, “AREAL Low Energy Electron Beam Applications in Life and Materials Sciences”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A, 829, 248-253, 2016.(NIM-16):