March 12, 2015
Исследовательская группа из Национальной научной лаборатории им. А. Алиханяна (Ереванский физический институт), возглавляемая профессором Ерицяном, сообщила о результатах новых экспериментов на ускорителе АРЕАЛ в рамках проекта “Исследование электрофизических свойств кремния и структур кремний-диэлектрик”.
При облучении образцов монокристалла кремния электронным пучком АРЕАЛ с энергией 3.5 МэВ наблюдалось образование радиационных дефектов. Согласно последним экспериментальным данным, кластерные радиационные дефекты в кристаллах кремния образуются при облучении образца электронными пучками с энергией выше 10 МэВ, тогда как при более низких энергиях возникают в основном точечные дефекты. Образование дефектов при энергии 3.5 МэВ – нетипичное явление, наиболее вероятны протяженные дефекты, вызванные субпикосекундными электронными импульсами АРЕАЛ (заряд на импульс 200 пКл). Это предварительное заключение было сделано после измерения основных электрических параметров кристаллов n-Si: электропроводности, подвижности Холла, концентранции основных носителей заряда. После облучения образцов кремния подвижность Холла уменьшилась почти вдвое, что позволяет предположить, что для подвижности носителей существует механизм рассеяния, такой как дефекты кластерного типа.