Ապրիլ 19, 2018
ԱՐԵԱԼ էլեկտրոնային փնջով սիլիցիումի բյուրեղների գերարագ ճառագայթման արդյունքները, որոնք ստացվել են Ա. Ի. Ալիխանյանի անվան ազգային գիտական լաբորատորիայի խմբի (ղեկավար՝ Հ. Երիցյան) կողմից, առցանց հրատարակվել են Springer Journal of Electronic Materials ամսագրում (H. Yeritsyan et al., “The Use of Different Pulsed Electron Irradiation for the Formation of Radiation Defects in Silicon Crystals, 13 April 2018):
Հոդվածում ներկայացված է սիլիցիումի (n-Si) միաբյուրեղների ցանցում տարբեր հաճախականություններով և ազդակի տարբեր երկարություններով գերկարճ էլեկտրոնային փնջով ճառագայթման արդյունքում կառուցվածքային դեֆեկտների ձևավորումը: Հոլի էֆեկտի չափումներով ուսումնասիրվել են նմուշների էլեկտրաֆիզիկական պարամետրերը՝ կախված ջերմաստիճանից և ճառագայթման դոզայից: Ցույց է տրվել էլեկտրաֆիզիկական հատկությունների կախվածությունը ճառագայթման հոսքի խտությունից: Մասնավորապես, հայտնաբերվել է, որ ջերմային պրոցեսները չեն զարգանում՝ պայմանավորված ընկնող ճառագայթման գերարագ բնույթով, ինչը հանգեցնում է ճառագայթման և բյուրեղի ատոմների միջև համարյա «մաքուր» էներգետիկ փոխազդեցությանը, ինչպես նաև կլաստերային դեֆեկտների ձևավորմանը: