Հոկտեմբեր 25, 2016
Հ. Երիցյանի կողմից ղեկավարվող հետազոտական խմբի (Ա. Ի. Ալիխանյանի անվան ազգային գիտական լաբորատորիայի (ԵրՖԻ)) կողմից «ԱՐԵԱԼ» 3.5 ՄէՎ էներգիայով էլեկտրոնային փնջերով սիլիցիումի բյուրեղների գերարագ ճառագայթման շուրջ կատարվող ուսումնասիրությունների արդյունքները տպագրվել են Springer Journal of Electronic Materials ամսագրում (Հ. Երիցյան և այլոք, “Simulation of Electronic Center Formation by Irradiation in Silicon Crystals”, Journal of Electronic Materials, v. 45, № 11, 2016:10-1007_s11664-016-4975-6):
Հոդվածում ներկայացված է տեղայնացված էլեկտրոնների ուսումնասիրությունը, որոնք ստացվել են բյուրեղներում արտաքին խարնուրդների և ճառագայթման ազդեցությամբ: Հիմնական նպատակն է որոշել այս կենտրոնների բնույթը բյուրեղային ցանցի արգելված գոտում: Կիսահաղորդիչների դեպքում սիլիցիումը վերցրել են որպես փորձնական նմուշ՝ որոշելու համար ճառագայթային դեֆեկտների էներգետիկ մակարդակները և կոնցենտրացիան:
Այս ուսումնասիրության արդյունքները մատնանշում են բոլորովին նոր տեսակետ՝ կապված էներգետիկ մակարդակների բնույթի հետ, որոնք պատասխանատու են Հոլի Էֆեկտի չափումների արդյունքների և, հետևաբար, ճառագայթման արդյունքում սիլիցիումային բյուրեղներում ռադիացիոն դեֆեկտների ձևավորման համար: