Մարտ 12, 2015
Պրոֆ. Հ. Երիցյանի կողմից ղեկավարվող Ա. Ի. Ալիխանյանի անվան ազգային գիտական լաբորատորիայի հետազոտական խումբը (Երևանի Ֆիզիկայի Ինստիտուտ) զեկուցել է ԱՐԵԱԼ արագացուցչի վրա իրականացվող վերջին հետազոտական արդյունքների մասին, որը իրականացվում է «Սիլիցիումի էլեկտրոֆիզիկական հատկությունների և դիէլեկտրիկ սիլիցիումային կառուցվածքների հետազոտություն» նախագծի շրջանակներում:
Նմուշները էլեկտրոնային փնջով (3.5 ՄէՎ էներգիա) ճառագայթելուց հետո սիլիցիումի մոնոբյուրեղների մեջ նշմարվեց ռադիացիոն դեֆեկտների ձևավորում: Վերջին փորձարկումների տվյալների համաձայն սիլիցիումի բյուրեղների մեջ կլաստերային ռադիացիոն դեֆեկտների ձևավորումը տեղի է ունենում 10 ՄէՎ-ից ավելի էներգիայով լիցքավորված էլեկտրոնային փնջի կողմից նմուշի ճառագայթման ժամանակ, այն դեպքում, երբ ավելի ցածր էներգիայի պարագայում հիմնականում նկատվում են «զույգ-կետ»-ի դեֆեկտների ձևավորում: Սիլիցիումի բյուրեղների մեջ 3.5 ՄէՎ էներգիայով ձևավորված ռադիացիոն դեֆեկտները այդ էլեկտրոնների համար սովորական չեն, այլ կլաստերային տիպի դեֆեկտներ են, որոնք «ԱՐԵԱԼ» արագացուցչի սուբպիկովայրկյան էլեկտրոնային թանձրուկների հետևանք են (թանձրուկի լիցքը՝ 200 պԿ): Վերոնշյալ եզրահանգման եկել են Ն-սիլիցիումային բյուրեղների հիմնական էլեկտրոֆիզիկական պարամետրերը՝ էլեկտրահաղորդականությունը, Հոլի շարժունակությունը և հիմնական լիցքակիրների համակենտրոնացումը, չափելուց հետո: Սիլիցիումի նմուշների իռադիացիայից հետո Հոլի շարժունակությունը գրեթե 2 անգամ պակասեց, ինչը թույլ է տալիս ենթադրել, որ լիցքակիրների շարժման համար առկա է ցրման մեխանիզմ, ինչպիսին է կլաստերային տիպի թերությունը: